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IXFH 69N30P
IXFT 69N30P
100
90
80
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
Fig. 8. Transconductance
70
60
50
40
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 150V
I D = 34.5A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias Safe
Operating Area
f = 1MHz
C iss
100
R DS (on) Limit
1ms
25μs
T C = 25oC
1000
100
C oss
C rss
10
1
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
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